[摘要] 2016年11月3日签约的中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目，仅仅用了两个多月准备于2017年1月13日开工。这也拉开了青山湖科技城2017年扩大有效投资，加快“科技新城、品质新区”建设的大幕！
2016年11月3日签约的中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目，仅仅用了两个多月准备于2017年1月13日开工。这也拉开了青山湖科技城2017年扩大有效投资，加快“科技新城、品质新区”建设的大幕！
2017年1月13日，中电海康磁宣存储芯片研发及中试基地项目开工奠基仪式隆重举行。临安市领导卢春强、骆安全、俞琳波等，中电海康集团董事长等出席活动。
临安市委书记卢春强宣布项目开工。
临安市委常委、副市长、青山湖科技城管委会主任沈慧主持开工典礼。
临安市副市长、青山湖科技城管委会副主任庞保平介绍了项目情况。中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目总投资13亿元，占地50亩。该项目实施后将填补我国在高端存储芯片领域的空白，有利于我国早日掌握电子信息领域核心自主技术和知识产权，推进国家网络安全和信息化战略。该项目建成后，也将推动我省集成电路研发、设计、制造及应用产业的跨越性发展。
程瑜在致辞时说， 感谢临安市委、市政府及青山湖科技城管委会对中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目的支持，感谢项目海外研发团队的辛勤付出。研发出拥有自主技术和知识产权的存储芯片是我们的责任，也是国家重要战略部署。从某种意义上来说，中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目代表了国家战略的实施，为我国研发拥有自主可控的芯片作贡献。中电海康将围绕项目研发、建设发扬拼搏精神，同时也需各方共同努力。
参加活动的人士为项目奠基培土。
据了解2017年青山湖科技城计划实施总投资80亿元以上的项目，除了今天开工的中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目外，还包括刚刚签约的浙二医院青山湖院区项目、华立（青山湖）先进制造基地项目、云安小镇项目等。
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